重大新闻！辽宁锦州：雷击事件警示！户外遇雷雨天气需及时躲避

辽宁锦州：雷击事件警示！户外遇雷雨天气需及时躲避

锦州讯 6月13日晚，辽宁省锦州市锦州北站火车站广场发生雷击事件，两名旅客被雷击中，幸好送医及时，目前两人均无生命危险。

据了解，事发时，两名旅客正打着雨伞行走在广场上，突然一道强光闪过，雷电击中了他们手中的雨伞，两人瞬间倒地。周围群众见状立即拨打急救电话，并将两人送往医院救治。

据医院诊断，两名旅客均 دچار雷击伤，但伤势并不严重，经过治疗后已脱离生命危险。

此次事件也为我们敲响了警钟：雷雨天气时，应尽量减少户外活动，如必须外出，要做好防雷避雷措施，远离高耸物体，不要打伞或使用导电物品，并及时寻找避雷场所躲避。

以下是一些雷雨天气时的防雷避雷注意事项：

• 远离高耸物体，如树木、电线杆、烟囱等，因为这些物体容易被雷击中。
• 不要打伞或使用导电物品，如雨伞、手机、金属球杆等，因为这些物品也容易引雷。
• 及时寻找避雷场所躲避，如建筑物内、地下室、防雷洞等。
• 如果实在无法找到避雷场所，应蹲下身体，双脚并拢，尽量减少与地面的接触面积。
• 不要在室内使用电器，因为雷电可能通过电线进入室内。

希望大家牢记这些防雷避雷知识，平安出行！

英特尔Arrow Lake-U/H/HX处理器现身海关数据：部分采用台积电N3B工艺，性能再升级

北京 - 2024年6月14日，据外媒报道，近日有部分型号的英特尔Arrow Lake-U/H/HX移动处理器现身海关数据，其中部分采用台积电N3B工艺制造，这标志着英特尔首次在移动处理器中使用台积电的3nm工艺。

采用台积电N3B工艺，性能再突破

台积电N3B工艺是台积电3nm工艺的增强版，相比于上一代N5工艺，性能提升了10-15%，功耗降低了10-15%。这意味着采用N3B工艺的英特尔Arrow Lake-U/H/HX移动处理器将拥有更强劲的性能和更长的续航能力。

Arrow Lake-U/H/HX：全方位升级

除了部分采用台积电N3B工艺之外，英特尔Arrow Lake-U/H/HX移动处理器还采用了全新的Raptor Lake架构，并整合了Xe核显。据悉，Arrow Lake-U系列处理器将拥有2-10个核心，4-20个线程，主频最高可达5.0GHz；Arrow Lake-H系列处理器将拥有6-16个核心，12-32个线程，主频最高可达5.5GHz；Arrow Lake-HX系列处理器将拥有8-16个核心，16-32个线程，主频最高可达5.7GHz。

英特尔与台积电合作，共创芯片未来

英特尔此次在Arrow Lake-U/H/HX移动处理器中采用台积电N3B工艺，标志着英特尔与台积电合作的进一步深化。两家芯片巨头的合作将有利于推动芯片技术的进步，为消费者带来更高性能、更低功耗的芯片产品。

总而言之，英特尔Arrow Lake-U/H/HX移动处理器的出现，代表了英特尔在移动处理器领域的新突破。其采用台积电N3B工艺，并拥有全新的Raptor Lake架构和Xe核显，将为用户带来更加强劲的性能和更出色的体验。

以下是对新闻稿的扩充：

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• 在新闻稿的第二段，详细介绍了台积电N3B工艺的特点和优势，并分析了其对Arrow Lake-U/H/HX移动处理器性能的影响。
• 在新闻稿的第三段，介绍了Arrow Lake-U/H/HX移动处理器的详细规格和参数。
• 在新闻稿的第四段，分析了英特尔与台积电合作的意义。
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